濕法刻蝕系統(tǒng)用于先進的無損兆聲清洗。可以適用于易受損的帶圖案或無圖案的基片，包含帶保護膜的掩模版。為了在確保不損傷基片的情況下達到優(yōu)化的清洗效果，兆聲能量的密度必須保持在稍稍低于樣片上任意位置上的損傷閾值。濕法刻蝕系統(tǒng)的技術確保了聲波能量均勻分布到整個基片表面，通過分布能量的較大化支持理想的清洗，同時保證在樣片的損傷閾值范圍內(nèi)。濕法刻蝕系統(tǒng)提供高可重復性、高均勻性及的兆聲清洗、兆聲輔助下光刻膠剝離，以及濕法刻蝕。它可以在一個工藝步驟中包含了的無損兆聲清洗、化學試劑清洗、刷子清洗以及干燥功能。
濕法刻蝕系統(tǒng)和干法刻蝕系統(tǒng)的優(yōu)缺點對比：
濕法刻蝕系統(tǒng)是通過化學刻蝕液和被刻蝕物質(zhì)之間的化學反應將被刻蝕物質(zhì)剝離下來的刻蝕方法。大多數(shù)濕法刻蝕是不容易控制的各向同性刻蝕。
特點：適應性強，表面均勻性好、對硅片損傷少，幾乎適用于所有的金屬、玻璃、塑料等材料。
缺點：圖形刻蝕保真想過不理想，刻蝕圖形的小線難以掌控。
濕法刻蝕系統(tǒng)的刻蝕劑是等離子體，是利用等離子體和表面薄膜反應，形成揮發(fā)性物質(zhì)，或直接轟擊薄膜表面使之被腐蝕的工藝。
特點：能實現(xiàn)各向異性刻蝕，從而保證細小圖形轉移后的保真性。
缺點：造價高，用于微流控芯片制備的較少。
濕法刻蝕系統(tǒng)包括：用于容置電漿的腔體；設置于所述腔體上方的石英盤；設置于所述石英盤上方的多個磁體；旋轉機構，所述旋轉機構帶動所述多個磁體旋轉，所述多個磁體產(chǎn)生的磁場隨所述多個磁體的旋轉而旋轉，所述電漿處于所述磁場中。本發(fā)明的方案可以進一步增加粒子的碰撞頻率，以達到優(yōu)化電漿的均勻度，也可提高電漿的濃度。
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